Le fabricant britannique Plessey annonce l’échantillonnage de ses premières diodes électroluminescentes haute luminosité en nitrure de gallium sur silicium réalisées sur tranches de 150 mm de diamètre. Ces DELs seront produites dans l’usine de Plymouth de Plessey. Selon le fabricant britannique, la solution GaN-Si permettrait de réduire les coûts de 80% par rapport aux solutions de production de DELs en technologie SiC ou corindon …

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Le procédé de fabrication « 6-inch MAGIC » de Plessey a été développée grâce au rachat en février 2012 de son compatriote CamGaN, une entreprise créée en 2010 et issue de l’université de Cambridge, qui avait développé cette technologie de GaN sur silicium. Actuellement, le fabricant britannique revendique des rendements de plus de 95% avec ce procédé. L’entreprise britannique a bénéficié d’une subvention de 3,5 M£ pour industrialiser cette technologie qui lui a permis de créer une centaine d’emplois dans la région de Plymouth.