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br> Le Japonais Mitsubishi investit 3,5 milliards de yens (26,8 millions d’euros) dans la construction d’une ligne pilote de circuits de puissance en carbure de silicium (SiC), rapporte la presse nippone ; la production devrait démarrer en mars, avec une capacité mensuelle de 3000 tranches de 100 mm de diamètre pour la production de circuits moyenne et haute tension (600V, 1200V et 1700V).

Au cours de l’exercice fiscal, Mitsubishi devrait investir 10 milliards de yens dans la conception de circuits SiC dont notamment des IGBT. Le Japonais compte doubler ses ventes de circuits de puissance à 150 milliards de yens, d’ici à 2015.