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br> Issue d’un essaimage de l’Imec, le centre de recherche en nanoélectronique de Louvain, la start-up belge EpiGaN vient d’inaugurer son unité de production de tranches épitaxiées de couches GaN sur silicium ou sur carbure de silicium (SiC) pour applications dans l’électronique de puissance.

Actuellement, EpiGaN propose des tranches épitaxiées de couches GaN sur silicium (ou sur carbure de silicium pour applications spécifiques) de 150 mm de diamètre. Des tranches GaN-on-Si de 200 mm de diamètre son en cours de développement.

La technologie GaN-on-Si mise au point par l’Imec et transférée chez EpiGaN permet d’améliorer l’efficacité énergétique pour la réalisation de l’électronique de puissance de bon nombre d’applications : convertisseurs de puissance, alimentations pour ordinateurs, commandes de moteurs, onduleurs pour le photovoltaïque, etc.

Fondée en 2010 par Marianne Germain, CEO, Joff Derluyn, CTO et Stefan Degroote, COO, EpiGaN emploie actuellement 6 personnes. En 2011, des investisseurs dont Robert Bosch Venture Capital, Capricorn CleanTech Fund et LRM ont permis à la jeune pousse d’investir dans son unité de production.