Samsung Electronics lance la fabrication de la première mémoire DRAM LPDDR3 (low power double data rate 3) mobile ultra-rapide de quatre gigabits, gravée en classe 20 nm. Comparé à une DRAM LPDDR3 gravée en 30 nm, les performances de cette nouvelle mémoire sont 30% supérieures et la consommation d'énergie 20% inférieure. Cette solution présente un grand intérêt pour les fonctions multimédia gourmandes en ressources des appareils mobiles de prochaine génération, notamment les téléphones intelligents et les tablettes …

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• La LPDDR3 4 Gb atteint un taux de transmission des données de 2133 mégabits par seconde par broche, soit plus du double des performances de la mémoire DRAM (LPDDR2) mobile précédente avec une vitesse de transmission des données de 800 Mbit/s.

• La DRAM LPDDR3 mobile de classe 20 nm de Samsung permet l'affichage sans à-coups de vidéos full HD sur des téléphones intelligents dotés d'écrans de plus de 5".

• En adoptant la DRAM LPDDR3 mobile de 4 Gb de Samsung, les fabricants disposent de 4 puces intégrées dans un seul boîtier de 2 Go dont la hauteur ne dépasse pas 0,8 mm.

Référence : DRAM LPDDR3 mobile
Fournisseur : Samsung

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