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br> Intel et Micron viennent de lancer en production une technologie 25 nm pour la fabrication de mémoires flash NAND, soit la technologie la plus fine jamais utilisée dans l’industrie du semiconducteur ; de son côté, le Coréen Samsung annonce la mise en production de mémoires SDRAM DDR3 en technologie 30 nm.

Selon Samsung, la technologie 30 nm appliquée à la production de masse de mémoires DDR3 augmente la productivité de 60% par rapport aux DDR3 en 40 nm. Une mémoire DRAM 30 nm de 2 Gbits présente une consommation électrique réduite de 30% par rapport à un modèle 50 nm. La production de masse de mémoire DDR3 30 nm est prévue pour la seconde moitié de l'année.

De leur côté, Intel et Micron ont déjà commencé l’échantillonnage de flash NAND 8 Gbits réalisées en technologie 25 nm et comptent passer en production de volume dès le prochain trimestre. La production est assurée par leur société commune IM Flash Technologies (IMFT), qui avait démarré la fabrication en technologie 50 nm en 2006 et celle en technologie 34 nm en 2008.