Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) annonce la sortie du MB85RC1MT, mémoire FRAM 1 Mbit équipée d'une interface I²C. Parmi les produits à interface série I2C de la société, il s'agit de celui dont la capacité mémoire est la plus importante. Grâce à sa grande endurance et sa faible consommation d'énergie, ce produit FRAM assure une journalisation fréquente à basse puissance, ce qui fait de lui un choix idéal pour l'automatisation et les instruments industriels …

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• La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est un type de mémoire non volatile à accès aléatoire. Sa non-volatilité permet aux données d'être conservées même en l'absence d'alimentation, tandis que son accès aléatoire autorise une écriture plus rapide et sans le retard généralement inévitable des mémoires non volatiles. La FRAM est capable de réaliser 10 trillions de cycles de lecture/écriture, c'est-à-dire 10 millions de fois plus que la mémoire non volatile standard.
• Le MB85RC1MT est proposé dans un boîtier SOP-8 standard dont les broches sont compatibles avec l'EEPROM et la mémoire flash.
• Le composant fonctionne à une tension comprise entre 1,8 V et 3,3 V et à des températures allant de -40 °C à 85 °C. Son alimentation active génère une intensité maximale de 1,2 mA (à 3,4 MHz). En raison du cycle d'écriture extrêmement court de la FRAM, ce système consomme beaucoup moins d'énergie que l'EEPROM.
• À sa fréquence de fonctionnement, le MB85RC1MT propose un mode « high-speed » qui lui permet de réaliser des opérations de lecture/écriture à 3,4 MHz et à 1 MHz en parallèle (une fréquence identique à celle des EEPROM standard). Par conséquent, de nombreuses applications utilisant l'interface I2C peuvent désormais remplacer leurs EEPROM par ce nouveau produit FRAM.

Référence : MB85RC1MT
Fournisseur : Fujitsu Semiconductor Europe

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