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br> STMicroelectronics vient de passer un accord avec le fondeur Globalfoundries afin d’augmenter ses capacités de production de circuits intégrés en technologie FD-SOI ; la première génération d’une technologie 28 nm sur tranches FD-SOI est actuellement en phase d’industrialisation en interne à Crolles, avant l’obtention des premiers prototypes à partir de juillet.

Pour la génération suivante en technologie 20 nm, la phase de réalisation de prototypes est prévue pour le troisième trimestre 2013.

STMicroelectronics envisage également d’ouvrir sa technologie FD-SOI aux autres clients de Globalfoundries.

La technologie totalement « déplétée » sur silicium sur isolant (FD-SOI - Fully Depleted-Silicon on Insulator) dans les filières de 20 et 28 nm de STMicroelectronics vise à satisfaire la demande du marché en faveur de smartphones et tablettes capables de gérer les applications graphiques, les outils multimédia et la connectivité à haut débit mobile sans pénaliser l'autonomie de la batterie.

La technologie FD-SOI de ST a déjà été sélectionnée par ST-Ericsson pour ses prochaines plates-formes mobiles. Elle permettra d'améliorer les performances de la gamme de plates-formes NovaThor de ST-Ericsson tout en réduisant la consommation au niveau de la batterie, au point de pouvoir constater jusqu'à 35% de baisse de cette consommation en condition de performance maximale.