International Rectifier vient de lancer une famille de transistors IGBT 1200 V robustes et ultra-rapides, optimisés pour la commande de moteurs industriels et les alimentations sans interruption UPS. Ces composants bénéficient de la technologie de tranchées de coupure de champs sur substrat ultrafin d'IR, qui diminue les pertes en conduction et en commutation. Encapsulés avec une diode à recouvrement doux et à faible Qrr et présentant un délai de court-circuit Tsc minimum de 10 µs, ils sont optimisés pour les applications industrielles en environnement sévère …

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• Ces IGBT 1200 V à tranchées offrent une tension Vce(on) très faible et des pertes en commutation réduites, tout en assurant un rendement système supérieur et des performances robustes en régime transitoire pour une fiabilité accrue. Ils conviennent donc particulièrement aux environnements industriels difficiles.
• Les composants en boîtier couvrent une large gamme de courants allant de 10 à 50 A. Parmi leurs principales caractéristiques figurent une température Tjmax de 150 °C, un coefficient de température positif pour Vce(on) qui simplifie la mise en parallèle et une tension Vce(on) réduite pour limiter la dissipation et améliorer la densité de puissance.
• Des modèles sous forme de puces nues sont également disponibles.

Référence : par exemple IRG7PH30K10D
Fournisseur : International Rectifier

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