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br> Le Coréen Samsung Electronics vient de donner ce matin le premier coup de pioche à la construction d’une unité de production de mémoires flash NAND à Xi’an, en Chine ; l’usine, qui doit être opérationnelle en 2014, produira alors en technologie 10 nm.

Initialement, Samsung va investir 2,3 milliards de dollars dans ce complexe industriel. Mais à terme, Samsung China Semiconductor doit représenter le plus investissement du Coréen en Chine, avec un investissement total de 7 milliards de dollars. Samsung a choisi cette implantation parce que Xi’an abrite 37 universités et 3000 centres de R&D impliqués dans les technologies de l’information.