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br> Le fabricant britannique Plessey Semiconductors annonce l’acquisition de son compatriote CamGaN, une entreprise créée en 2010 et issue de l’université de Cambridge, qui a développé une technologie originale de GaN sur silicium ; Plessey compte sur cette acquisition pour produire des diodes électroluminescentes haute luminosité en nitrure de gallium sur tranches de silicium de 150 mm de diamètre.

Ces DELs seront produites dans l’usine de Plymouth de Plessey. Selon le fabricant britannique, la solution GaN-Si permettrait de réduire les coûts de 80% par rapport aux solutions de production de DELs en technologie SiC ou corindon.