Le CEA-Léti a annoncé que l'achèvement récent du programme HELIOS place l'Europe en bonne voie pour la conception et la fabrication à grande échelle de composants photoniques sur silicium. Ce projet financé à hauteur de 8,5 millions d'euros par la Commission européenne a développé une filière de conception et de fabrication complète permettant d'intégrer une couche photonique sur un circuit CMOS en utilisant des procédés de fabrication microélectroniques …

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HELIOS, placé sous la coordination du Léti, a aussi présenté un flot de conception complet compatible avec les outils de CAO standards, intégrant la conception de composants photoniques sur silicium et de systèmes électroniques/photoniques.

« Conserver des activités de conception et d'intégration de puces photoniques en Europe est d'une grande importance stratégique pour concurrencer les autres pays et encourager l'innovation dans les entreprises européennes de microélectronique. Le fait qu'HELIOS ait réussi à créer les éléments fondamentaux qui permettront d'intégrer la photonique aux circuits CMOS en mettant le procédé à disposition de nombreux utilisateurs, souligne le rôle clé que joue en Europe une coopération technologique d'envergure, dans un environnement industriel mondial très compétitif », commente Laurent Malier, Directeur du Léti.

La photonique silicium est considérée comme cruciale pour le développement des télécommunications et des interconnexions optiques dans les circuits microélectroniques, car l'intégration de fonctions photoniques et électroniques sur une même puce présente des avantages en terme de coûts. La photonique silicium peut apporter des solutions peu onéreuses pour un grand nombre d’applications comme les communications et les interconnexions optiques entre puces électroniques et cartes de circuits imprimés, dans le traitement du signal optique, la détection optique et les applications biologiques.

HELIOS, lancé en 2008 par la Commission européenne, avait pour principal objectif de développer les fonctions élémentaires essentielles, comme les sources optiques à haut rendement (sur silicium ou par intégration hétérogène de III-V sur silicium), les modulateurs haute vitesse et les photodétecteurs. Le projet, qui comprenait 20 membres (*), a aussi entrepris de combiner ces éléments pour présenter des démonstrateurs complexes répondant à divers besoins du secteur.

Il s'agit notamment d'un modulateur 10 Gb/s intégré avec circuit électronique BiCMOS, un émetteur-récepteur 16 x 10 Gb/s pour des applications WDM-PON, un système de transmission sans fil photonique QAM à 10 Gb/s et un module émetteur-récepteur mixte analogique et numérique pour antennes multifonctions.

(*)Membres du programme HELIOS :

- CEA-Léti, coordonnateur (France)
- IMEC (Belgique)
- CNRS (France)
- Alcatel Thales III-V lab (France)
- Université de Surrey (RU)
- IMM (Italie)
- Université de Paris-Sud (France)
- Université de Valence (Espagne)
- Université de Trente (Italie)
- Université de Barcelone (Espagne)
- 3S Photonics (France)
- IHP (Allemagne)
- Université de Berlin (Allemagne)
- Thales (France)
- DAS Photonics (Espagne)
- ams AG (Autriche)
- Université de Vienne (Autriche)
- Phoenix BV (Pays-Bas)
- Photline Technologies (France)
- Université de Southampton (RU)