Le Canadien GaN Systems, spécialisé dans le développement de semiconducteurs pour commutation de puissance en nitrure de gallium (GaN), a inauguré un nouveau siège et centre de R&D à Ottawa, au Canada. L’emménagement dans ces nouveaux locaux, au cœur de la communauté de hautes technologies de Kanata, a été rendu nécessaire par la croissance de la société au cours des douze derniers mois, et par ses prévisions de croissance rapide à mesure que les dispositifs de GaN remplaceront les semiconducteurs sur silicium traditionnels dans les applications de contrôle et conversion d’énergie …

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« Nous sommes engagés dans une croissance à long terme qui s’annonce rapide, et ce nouvel établissement nous apporte les ressources et les capacités dont nous avons besoin pour passer rapidement de la R&D à la commercialisation cette année, » déclare Jim Witham, CEO de l’entreprise.

Le nouveau siège et centre de R&D est trois fois plus étendu que les précédents locaux de GaN Systems, et la surface des laboratoires est multipliée par dix. Ces laboratoires disposent de leurs propres sources d’énergie et de refroidissement, ce qui est crucial, selon Girvan Patterson, co-fondateur et Président : « Lorsque vous produisez des dispositifs capables de commuter 200 A ou plus, seules des installations spécialisées permettent de les tester à fond. La puissance disponible dans cette localité et nos laboratoires dédiés nous permettront d’explorer complètement les applications les plus puissantes et d’accélérer le test de fiabilité à long terme de nos dispositifs ».