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br> Le Grenoblois Soitec et la société chinoise Chongqing Silian Optoelectronics Science & Technology (Silian), fournisseur de matériaux, produits et systèmes destinés à l’industrie de l’éclairage, ont signé un accord de partenariat portant sur le développement conjoint de pseudo-substrats en nitrure de gallium (GaN) utilisant la HVPE ou méthode d’épitaxie en phase vapeur aux hydrures (Hydride Vapor Phase Epitaxy) ; les pseudo-substrats de GaN ainsi obtenus permettent de fabriquer des diodes électroluminescentes plus performantes.

L’accord de développement conjoint signé par les deux sociétés permettra de valider les concepts de fabrication et la commercialisation de ces pseudo-substrats en nitrure de gallium utilisant les substrats de saphir de Silian et la technologie HVPE de Soitec. Les deux partenaires envisagent d’échantillonner les premiers pseudo-substrats en GaN cette année.

« Notre stratégie était d’utiliser les caractéristiques des équipements d’épitaxie utilisés couramment en production dans l’industrie des semiconducteurs à partir de silicium et d’y ajouter notre système d’injection de la source de gallium pour créer un équipement HVPE de haute productivité. Nous avons ensuite développé avec succès des procédés de croissance cristalline extrêmement rapide qui permettent de réaliser ces pseudo-substrats en nitrure de gallium de façon nettement moins onéreuse qu’avec la technique d’épitaxie en phase vapeur utilisant des organométalliques beaucoup plus coûteux (MOVPE) », commente Chantal Arena, Directrice générale de Soitec Phoenix Labs, où a été développé la technologie HVPE.