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br> Le Coréen Samsung annonce la mise en production de la première mémoire Dram DDR2 4Gbits faible consommation réalisée en technologie 30 nm ; une mémoire destinée aux smartphones, ardoises électroniques et autres terminaux mobiles qui réclament une grande autonomie d’alimentation.

Comparée à la génération précédente de LPDDR2 DRAM 2Gbits en technologie 40 nm, cette mémoire permettrait un accroissement de productivité de 60%, assure Samsung. Combinant performance et efficacité énergétique, cette Dram présente un débit de transmission de données de 1066 Mbit/s, soit plus du double des mémoires actuelles qui opèrent entre 333 et 400 Mbit/s.