Vendredi 25 Mars @ VIPress.netSamsung lance la production de Drams en technologie 30 nm
Le Coréen Samsung annonce la mise en production de la première mémoire Dram DDR2 4Gbits faible consommation réalisée en technologie 30 nm ; une mémoire destinée aux smartphones, ardoises électroniques et autres terminaux mobiles qui réclament une grande autonomie d’alimentation.
Comparée à la génération précédente de LPDDR2 DRAM 2Gbits en technologie 40 nm, cette mémoire permettrait un accroissement de productivité de 60%, assure Samsung. Combinant performance et efficacité énergétique, cette Dram présente un débit de transmission de données de 1066 Mbit/s, soit plus du double des mémoires actuelles qui opèrent entre 333 et 400 Mbit/s.
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