Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa famille de MOSFET super-jonction haut-rendement compacts avec des dispositifs spécifiés jusqu'à 650V. Ces MOSFET 650V sont idéaux pour les applications susceptibles de devoir tourner dans des environnements où la tension réseau est fluctuante, ou bien où les températures peuvent être très basses. Le support de tensions plus élevées permet aussi davantage de souplesse au niveau conception, en augmentant les marges de sécurité …

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• Ces MOSFET de puissance 650V sont basés sur le processus super- jonction DTMOS IV de quatrième génération de la société, et sont disponibles en sept boîtiers compacts différents. Ces dispositifs peuvent être fournis avec une diode FRD (Fast Recovery Diode, ou diode de recyclage rapide) intégrée, qui permet de réduire le nombre de composants et l'empreinte sur carte dans le cas d'applications à commutation haute-fréquence.
• Les applications ciblées par ces MOSFET 650V sont notamment les alimentations à découpage, les ballasts d'éclairage, les convertisseurs d'énergie photovoltaïques et d'autres développements nécessitant une combinaison de haute-fréquence, de rendement élevé, et de faible bruit EMI (parasites électromagnétiques).
• Grâce à leur technologie DTMOS IV, ces nouveaux MOSFET offrent à la fois une résistance à l'état passant extrêmement faible, et une taille de puce réduite, qui autorise de très petits boîtiers, sans perte de puissance. Un avantage majeur du processus "deep trench" (tranchée profonde en français) par rapport à un processus super-jonction standard, est un plus faible coefficient thermique, favorable à un meilleur RDS(ON) en fonction de la température.
• La nouvelle gamme de dispositifs 650V est disponible en boîtiers D-PAK, I-PAK, D2-PAK, I2-PAK, TO-220, TO-220SIS et TO-247. La valeur maximum de RDS(ON) est de 1.2Ohm à seulement 0.055Ohm.

Référence : MOSFET 650V
Fournisseur : Toshiba

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Pour répondre aux défis de la conception de dispositifs toujours plus petits et plus minces, Global Connector Technology (GCT) lance une gamme de connecteurs USB3.0 à montage centré inversé, adaptés à une intégration dans des dispositifs tels que tablettes, ordinateurs portables et autres appareils portatifs …

• Dans les applications à profil bas, où une hauteur au-dessus et sous la carte de circuit imprimé est essentielle, GCT propose des connecteurs USB3.0 à montage centré sur le bas. Ces connecteurs USB3.0 standard s'installent normalement sur le dessus de la carte de circuit imprimé et permettent un montage sur le bas de la carte. Les connecteurs sont donc sur une découpe de la carte de circuit imprimé, minimisant ainsi la hauteur.
• L'USB1115 avec face découpée convient parfaitement aux panneaux angulaires, avec une hauteur de seulement 5,4 mm.
• L'USB1110 est installé sous la carte de circuit imprimé, tandis que le substrat du connecteur se trouve au-dessus de la carte de circuit imprimé. Les deux connecteurs sont conditionnés en bande et rouleau et conviennent aux exigences des processus à forte température.
• Afin d'accélérer la conception, il est possible de télécharger des plans, des spécifications et des modèles en 3D à partir du site Internet du fabricant.

Référence : USB1115 et USB1110
Fournisseur : GCT

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