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Outil de conception en ligne simplifiant la sélection des composants et la conception de systèmes de puissance

Filière électronique>NP/Energie>NP/Développement
25/09/2014 13:58:26 :

Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d'annoncer un outil de conception en ligne permettant aux ingénieurs d'analyser les performances des composants destinés aux étages de puissance des systèmes embarqués, et d'améliorer l'efficacité et le rendement énergétique global de ces systèmes. Le simulateur web Toshiba Semiconductors permet aux utilisateurs de simuler le comportement de transistors MOSFET, sous différentes conditions de tension et de température, et d'analyser leurs signaux de commutation dans le cas d'applications de conversion AC/DC ou DC/DC, en utilisant différentes topologies telles que "full-bridge", "fly-back" ou convertisseur survolteur synchrone …
 
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• L'outil est composé de trois éléments interactifs : les Datasheets, le Concepteur d'applications et le Générateur de notes. Les deux premiers éléments couvrent les MOSFET, tandis que le dernier, couvre les LDO et les commutateurs de charge.
• Grâce aux datasheets interactives de MOSFET, le concepteur peut choisir parmi une liste de composants, puis analyser les composants sélectionnés, par rapport à un ensemble personnalisable de courbes théoriques, et de circuits test à caractéristiques dynamiques.
• Grâce au Concepteur d'applications interactif, on peut choisir un dispositif MOSFET pour différentes topologies, en fonctions de besoins spécifiques. Ses performances dans le cadre de l'application considérée peuvent alors être évaluées en utilisant la simulation directe et les outils d'analyse.
• Le Générateur de notes de conception interactif propose des fonctionnalités semblables pour les régulateurs LDO et les commutateurs de charge.

Référence : simulateur web
Fournisseur : Toshiba

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IGBT 600 V optimisés pour les applications de soudure

NP/Discrets
25/09/2014 13:57:33 :

International Rectifier vient de lancer la famille IRGP66xx d’IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) 600 V ultra-rapides à grille en tranchée et coupure de champ. Ces nouveaux composants durcis, fiables et à performances élevées, présentent des pertes en conduction et en commutation extrêmement faibles et sont optimisés pour les applications de soudure …

• Tirant parti d’une technologie de tranchées sur substrat fin pour réduire les pertes en conduction et en découpage, ces nouveaux composants sont encapsulés avec une diode à recouvrement doux à faible Qrr, et supportent une commutation ultra-rapide (8 à 30 kHz) et des courts-circuits de 5 µs.
• Ces IGBT 600 V offrent également une faible tension VCE(ON) et un coefficient de température positif simplifiant leur mise en parallèle.
• La famille d’IGBT IR66xx est aussi caractérisée par une fréquence de découpage élevée, une température de jonction maximale de 175 °C et de faibles émissions électromagnétiques (EMI), d’où une fiabilité accrue, un rendement système supérieur et des performances plus robustes en régime transitoire.

Référence : IRGP66xx
Fournisseur : International Rectifier

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ÉDITION du 25/09/2014
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