<

publicité

br> Intel et Micron annoncent que leur société commune IM Flash Technologies (IMFT) a fabriqué en technologie 20 nm la première puce flash NAND 128 Gbits, doublant ainsi la capacité de stockage des flash NAND actuelles les plus évoluées ; par ailleurs, les deux partenaires annoncent le passage à une production de volume de leurs flash NAND 64 Gbits réalisées elles-aussi en technologie 20 nm.

Les futures puces NAND 128 Gbits seront échantillonnées en janvier 2012, avant un passage à une production de volume au cours du premier semestre 2012. Ces puces seront destinées aux produits réclamant de grandes capacités de stockage (smartphones, tablettes électroniques, disques à état solide SSDs).

Samsung Electronics se félicite d’avoir su atteindre une capacité de production mensuelle de 40 000 tranches de 300 mm de diamètre par mois dans son unité de production américaine d’Austin, au Texas, seulement cinq mois après le démarrage de la production de la ligne en mai dernier.

La ligne S2 de l’usine d’Austin du fabricant coréen est utilisée pour produire des circuits logiques basse consommation en technologie 45 nm sur tranches de 300 mm de diamètre. La construction de la salle blanche a débuté en août 2010 et les premiers circuits ont été fabriqués en mai dernier.

Samsung aura investi jusqu’ici 9 milliards de dollars dans son usine d’Austin, qui emploie aujourd’hui plus de 2400 personnes.

La Commission européenne a ouvert une procédure formelle d'examen afin de déterminer si les éditeurs internationaux Hachette Livre, Harper Collins, Simon & Schuster, Penguin et Verlagsgruppe Georg von Holzbrinck se sont livrés, probablement avec l'aide de Apple, à des pratiques anticoncurrentielles affectant la vente de livres électroniques dans l'Espace économique européen (EEE) et ont, de ce fait, enfreint les règles de concurrence de l'Union européenne.

La Commission a informé les entreprises et les autorités de concurrence des États membres de l'ouverture de la procédure.