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br> Mieux qu’Intel et Micron qui avaient annoncé la semaine dernière la réalisation d’une flash en technologie 20 nm : l’Américain SanDisk et son partenaire de production Toshiba annonce un procédé de fabrication en technologie 19 nm.

SanDisk a ainsi présenté une flash NAND 64 Gbits avec 2 bits par cellule réalisée en technologie 19 nm. L’échantillonnage de cette mémoire va commencer au cours du trimestre pour une mise en production de volume dans la seconde moitié de l’année.