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br> Pour conforter leur domination sur le marché des mémoires, Samsung et Hynix auraient signé un accord dans la R&D afin de développer en commun les technologies nécessaires à la réalisation des futures mémoires Ram magnétiques (MRAM) faisant appel à l’électronique de spin, -les mémoires MRAM étant considérées comme les mémoires universelles du futur-, rapporte le quotidien coréen The Korea Times, qui cite une source gouvernementale.

Les pouvoirs publics coréens devraient, dans ce cadre, financer plus de la moitié du budget de R&D de 56 M$ que devraient consacrer les deux champions nationaux à ce projet d’ici 2011. A suivre.