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br> Andrew Cuomo, gouverneur de l’état de New York, vient d’annoncer un projet d’investissement de 4,4 milliards de dollars sur cinq ans qui associe les ténors mondiaux de l’industrie du semiconducteur (Intel, Samsung, TSMC, IBM et Globalfoundries) pour développer une filière de production de semiconducteurs sur tranches de silicium de 450 mm de diamètre ; l’Etat de New York apportera 400 millions de subventions à ce projet qui se déroulera sur cinq sites et conduira à créer ou sauvegarder 6900 emplois dont 2500 emplois high tech.

Même si le détail de l’investissement est encore un peu flou, il faut noter que dans une période agitée pour la conjoncture en semiconducteurs, les plus grandes sociétés du secteur prennent ainsi date pour annoncer leur résolution à passer d’ici quelques années à une production sur tranches de 450 mm de diamètre. Or, le coût de telles usines devrait dépasser 10 milliards de dollars par unité de production.

« Le « Global 450 Consortium » est un élément essentiel pour faire passer l’industrie du semiconducteur à la prochaine génération de diamètre de tranches », s’est félicité Paul Otellini, p-dg d’Intel. Par rapport au 300 mm, le 450 mm permet de doubler le nombre de puces produites par tranches, tout en réduisant les coûts de production et améliorant l’impact écologique d’une telle production.

Les travaux de recherche des partenaires se dérouleront sur cinq sites : Albany, Canandaigua, Utica, East Fishkill et Yorktown Heights.

Peu clair, le communiqué de presse de l’état de New York souligne que l’investissement sera réalisé en fait dans deux projets. Le premier est sous la direction d’IBM et de ses partenaires et sera focalisé sur le développement des « deux prochaines générations de puces pour l’informatique ». Le communiqué précise qu’IBM aura investi à New York plus de 10 milliards de dollars dans la R&D en semiconducteurs au cours de la dernière décennie.
Le second projet associe donc Intel, IBM, TSMC, Globalfoundries et Samsung pour assurer le passage du 300 mm au 450 mm.