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b>Fujitsu annonce matin son projet d’investir 120 milliards de yens (plus de 1 milliard de dollars) dans la construction d’une unité de production de semiconducteurs en technologie 65 nm sur tranches de 30 mm de diamètre au Japon. L’usine devrait être opérationnelle au printemps 2007 et disposer au départ d’une capacité de traitement mensuelle de 10 000 tranches qui pourra être portée à l’avenir à 25 000 tranches. Parallèlement, le Japonais va également augmenter la capacité de production de sa première unité de production sur tranches de 300 mm (en technologie 90 nm) pour la porter à 15 000 tranches par mois au cours de l’exercice fiscal.