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br> L’institut Carnot LAAS CNRS et l'Institut Fraunhofer IISB pour les systèmes intégrés et la technologie des dispositifs, et leurs associés - l’Electron Devices de l'Université d'Erlangen-Nuremberg en Allemagne et le laboratoire CEMES-CNRS à Toulouse - viennent de créer l’alliance Wisea des « semiconducteurs à grands gaps » tels que le carbure de silicium et le nitrure de gallium ; les installations Wisea sont accessibles via des contrats de recherche et des projets de collaboration cofinancés par une tierce partie.

Cette alliance vise à faciliter le développement et l'adoption de cette technologie. Wisea repose sur une coopération formée au sein du projet Mobisic dans le cadre du Programme Inter Carnot-Fraunhofer PICF 2010. Il s’agit de construire une chaîne de compétences dans le traitement des semiconducteurs à grands gaps à partir de l'épitaxie et des procédés « front-end » jusqu’au packaging, y compris la caractérisation avancée et les méthodes de simulation.

« Pour toutes les applications nécessitant le transport de l'énergie depuis les centrales électriques jusqu’à l'utilisateur, la gestion de l’énergie dans les voitures et la conversion de l'énergie, les dispositifs électroniques de puissance sont incontournables. Les dispositifs de puissance à base de matériaux à grands gaps tels que le carbure de silicium et le nitrure de gallium permettront de surmonter les limites dues aux matériaux à base de silicium des dispositifs actuels. Ils contribueront essentiellement à diminuer la perte de puissance », soulignent les partenaires de recherche.

Wisea bénéficie de deux salles blanches dédiées à la micro et nanofabrication : l’une de 1000 m² de classe 10 à Erlangen en Allemagne, l’autre de 1500 m² de classe 100 au LAASCNRS à Toulouse. Pour les matériaux et dispositifs associés aux semiconducteurs à grands gaps, équipements et chercheurs sont disponibles pour couvrir l’ensemble des étapes depuis l'épitaxie jusqu’à la métallisation et le packaging, assurer la fabrication de structures et dispositifs de test, la mise en place de caractérisations physiques et électriques avancées ainsi que la simulation et la modélisation physique des procédés et des dispositifs.