Samsung Electronics et
Globalfoundries annoncent une collaboration stratégique visant à fournir une capacité globale pour la technologie avancée FinFET de 14 nm. Pour la toute première fois, la technologie
FinFET 14 nm sera disponible à la fois chez Samsung et chez Globalfoundries, garantissant aux clients une sécurité d’approvisionnement grâce à la compatibilité d’une double source à l’échelle mondiale …
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Développé par Samsung et octroyé sous licence à Globalfoundries, le procédé FinFET 14 nm exploite les atouts des transistors FinFET 3D dits totalement ‘déplétés’ pour surmonter les limitations de la technologie des transistors planaires, permettant ainsi, selon les deux partenaires, une vitesse 20% supérieure, une réduction de 35% de la puissance, et une miniaturisation de 15% par rapport à la technologie planaire de 20 nm.
La production en volume en technologie FinFET 14 nm sera assurée dans les usines de Samsung à Hwaseong, en Corée et Austin, au Texas, ainsi que dans celle de Globalfoundries à Saratoga, New York.
