STMicroelectronics compte parmi les premières entreprises à commercialiser un MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) en tensions élevées, et a atteint la tenue en température la plus élevée de l'industrie, à savoir 200°C. Les propriétés du carbure de silicium permettent d'économiser au moins 50% de l'énergie habituellement perdue en traversant les transistors de puissance classiques en silicium. Ce MOSFET de puissance permet aux concepteurs d'alimentations d'augmenter l'efficacité énergétique d'applications telles que les onduleurs solaires, les véhicules électriques, l'informatique d'entreprise et les circuits de commande de moteurs industriels …

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• Ces appareils peuvent également être physiquement plus compacts et afficher une tension de claquage élevée. La technologie SiC est considérée comme essentielle dans l'amélioration continue du rendement énergétique, de la miniaturisation et du coût des systèmes.
• L'augmentation de la tenue en température des composants SiC de ST (200°C) par rapport aux MOSFET SiC ordinaires en silicium permettra notamment de simplifier la conception du système de refroidissement des véhicules.
• Annoncé sous la référence SCT30N120, le nouveau MOSFET de puissance SiC 1 200 V de ST est en cours d'échantillonnage et sera fabriqué en volume en juin 2014.
• Il est disponible en boîtier HiP247 propriétaire de ST, qui dispose d'un profil standard et est optimisé pour des performances thermiques élevées. Son prix unitaire est de 35 dollars par 1 000 pièces.

Référence : SCT30N120
Fournisseur : STMicroelectronics

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