Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) lance, sous les références MB85RS1MT et MB85RS2MT, deux FRAM avec des densités de mémoire respectives de 1 Mbits et 2 Mbits. Ces nouvelles mémoires ferroélectriques seront disponibles en petites quantités à partir de la fin du mois de mars 2013. En garantissant 10 000 milliards de cycles de lecture-écriture, soit dix fois plus que les puces actuelles, ces mémoires FRAM sont idéales pour des applications telles que les compteurs intelligents, les machines industrielles et les appareils médicaux …

publicité

• Par rapport à des produits EEPROM de densité identique, les MB85RS1MT et MB85RS2MT réduisent la consommation de 92% pour les opérations d'écriture.
• Ces mémoires FRAM peuvent également offrir d'importantes réductions au niveau des coûts des composants, de l'encombrement et de la consommation électrique en remplaçant toutes les technologies requises pour le système – composées généralement d'EEPROM, de SRAM et d'une batterie – par une puce unique.
• Comme format de mémoire, FRAM propose un accès aléatoire et non volatil. Avec sa grande vitesse d'écriture, FRAM peut immédiatement stocker en toute sécurité des données lors de pannes de courant, garantissant de la sorte l'intégrité du système.

Fabricant : Fujitsu
Référence : MB85RS1MT, MB85RS2MT

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |