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br> Le Grenoblois Soitec annonce un chiffre d’affaires de 80,2 millions d’euros au quatrième trimestre de l’exercice 2011-2012, en hausse de 2% par rapport à la même période de l’exercice précédent ; son chiffre d'affaires annuel de l’exercice 2011-2012 clos au 31 mars s’élève ainsi à 323,4 millions d’euros, en hausse de 15,1% par rapport à l’exercice précédent.

La perte opérationnelle courante sur l’ensemble de l’exercice devrait être proche de 45 millions d’euros. L’activité électronique, qui porte les efforts soutenus de recherche et développement sur le marché des diodes électroluminescentes, devrait être proche de l’équilibre sur l’ensemble de l’exercice.

Au cours d’une période marquée par des réductions de stocks chez les fabricants et par un environnement économique général peu porteur, le chiffre d’affaires total de la division électronique au quatrième trimestre a progressé de 5,3% par rapport à la même période de l’exercice précédent à 80,2 millions d’euros, et de 15,1% sur l’ensemble de l’exercice 2011-2012, à 316,6 millions d’euros.

La division énergie solaire a réalisé un chiffre d'affaires non significatif sur le quatrième trimestre. Sur l’ensemble de l’exercice fiscal, le chiffre d'affaires s’est inscrit en hausse de 16,8% à 6,8 millions d’euros.

Pour l’exercice en cours, Soitec anticipe un ralentissement de l’activité électronique au premier semestre :, le chiffre d'affaires de la division électronique au premier semestre 2012-2013 serait ainsi de l’ordre de 140 millions d’euros (à un taux de change euro/dollar de 1,30). Une baisse séquentielle significative des ventes de tranches SOI au premier trimestre devrait être en partie compensée au second trimestre.

Soitec présente également sa feuille de route (roadmap) de produits dite « totalement déplétée » (Fully Depleted — FD) pour fabriquer des transistors à structure planaire et en trois dimensions (FinFET). D’ores et déjà disponibles, les tranches FD de Soitec, dont la structure prédétermine les caractéristiques critiques du transistor, rendent possible la migration vers la technologie FD dès le nœud technologique 28 nm et sont déjà prêtes pour descendre jusqu’au nœud 10 nm et au-delà, en abaissant les coûts. Ces tranches FD de nouvelle génération promettent des avancées significatives en termes de performances et d’efficacité énergétique des terminaux mobiles comme les smartphones et autres tablettes tactiles.

Premiers utilisateurs des produits FD de Soitec, STMicroelectronics et ST-Ericsson ont annoncé leur collaboration, avec Soitec, pour le développement de processeurs mobiles de nouvelle génération sur des circuits gravés en 28 mm en utilisant la technologie de transistors totalement déplétée. Grâce à cette technologie, ST-Ericsson prévoit par exemple d’allonger d’une journée l’autonomie de la batterie des smartphones.

S’appuyant sur ses succès liés à la technologie SOI, IBM a indiqué son choix d’adopter la technologie FinFETs sur SOI au nœud 14 nm, et de lancer également de nouveaux produits basés sur la technologie 45 nm ou 32 nm SOI tels que les mémoires eDRAM sur SOI pour les marchés des produits de haute performance.