Cela fait des années que l’on annonce la construction des premières unités de production de semiconducteurs en Inde sans jamais rien voir venir. Cette fois-ci sera-t-elle la bonne ? Prudence. Mais à en croire la presse locale, le gouvernement indien vient d’approuver deux projets de construction de fabs 300 mm, emmenés par deux consortiums où, aux côtés d’investisseurs nationaux, on retrouve IBM et TowerJazz, d’une part, et STMicroelectronics et Silterra d’autre part …

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Le premier projet associerait Jaiprakash Associates à IBM et au fondeur israélien TowerJazz. L’objectif est construire une unité de production sur tranches de 300 mm de diamètre qui disposerait d’une capacité de production de 40 000 tranches par mois. La phase 1 du projet concernerait des procédés CMOS 90 nm, 65 nm et 45 nm, avant une phase 2 pour le passage au 28 nm et éventuellement une phase 3 en technologie 22 nm.

Le deuxième projet associerait Hindustan Semiconductor Manufacturing à STMicroelectronics et à Silterra, un fondeur implanté en Malaisie. La capacité de production envisagée est également de 40 000 tranches de 300 mm de diamètre par mois. Deux phases sont prévues : 90 nm, 65 nm et 45 nm dans la phase 1 et 45 nm, 28 nm et 22 nm dans la phase 2.