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br> STMicroelectronics et Hynix viennent d’inaugurer officiellement leur unité de production commune de mémoires flash NAND et de Drams, à Wuxi City, en Chine.

L’usine produit des Drams en technologies 110nm et 90nm sur tranches de 200mm depuis juillet et des Drams en technologie 80nm sur tranches de 300mm depuis le début du mois. La production de mémoires flash NAND doit démarrer à la mi-2007. Actuellement, la capacité de production mensuelle est de 50 000 tranches de 200 mm de diamètre, alors que la capacité de production mensuelle en tranches de 300 mm de diamètre doit atteindre à terme 18 000 tranches.

L’usine emploie 2000 personnes, au terme d’un investissement de 2 milliards de dollars, supporté aux 2/3 par Hynix et à un tiers par STMicroelectronics.