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br> Hynix Semiconductor vient de finaliser la construction d’une unité de production de mémoires flash NAND sur tranches de 300 mm de diamètre en Corée ; l’usine démarre ce mois-ci sa production avec une capacité de traitement mensuelle de 40 000 tranches, qui pourra être portée à terme à 200 000 tranches par mois.

L’usine produira des flash NAND 16 Gbits et 32 Gbits en technologie 40 nm.
Cet été, Hynix avait également annoncé la fermeture de son unité de production sur tranches de 200 mm, à Eugene, aux Etats-Unis. La fermeture doit intervenir à la fin du mois.