Mercredi 30 Octobre @ VIPress.netDeuxième génération de LED blanches GaN-on-Si
Toshiba Electronics Europe (TEE)annonce avoir produit ses premières LED blanches LETERAS de deuxième génération, en technologie GaN-on-Si (nitrure de galium sur silicium). Les LED 1W TL1F2 offrent une alternative moins coûteuse que les modules à LED actuels, et permettent aux fabricants d'éclairage général et industriel à LED de réduire leurs coûts de production …
• Les LED blanches hautes-performances étaient jusqu'ici traditionnellement produites sur de coûteux substrats (corindon), sur tranches de dimensions modestes de 100 à 150 mm de diamètre. En revanche, Toshiba a développé un processus permettant de produire des LED GaN en utilisant comme substrats des tranches de silicium de 200 mm de diamètre, plus rentables.
• L'efficacité lumineuse des LED blanches TL1F2 a été améliorée par rapport à la série TL1F1 grâce à l'optimisation du boîtier et à la puissance lumineuse supérieure fournie par les puces LED GaN-on-Si. La série TL1F2 offre une plage CCT (Correlated Colour Temperature, ou température de couleur corrélée) très large, allant de 2700K à 6500K, avec un CRI (Color Rendering Index, ou index de rendu de couleurs) évoluant entre 80 et 70 respectivement. Le flux lumineux typique de ces LED 1W varie entre 104 lumen et 135 lumen, en fonction de la température de couleur et du CRI.
• Ces nouveaux dispositifs sont fournis en boîtier 6450 standard, de seulement 6,4 x 5,0 mm, pour une hauteur de 1,35 mm. Le courant typique (IF) est de 350 mA, pour une tension directe (VF) typique de seulement 2,85V, ce qui aide les concepteurs à réduire la consommation globale.
• Sa plage de température d'utilisation de -40°C à +100°C, permet à la série TL1F2 d'être utilisable en intérieur comme en extérieur, pour des applications comme des lampes, des plafonniers, des réverbères ou des projecteurs. La production en grande série des TL1F2 est programmée pour novembre.
Référence : par exemple TL1F2
Fournisseur : Toshiba
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