Mardi 22 Mars @ VIPress.netIntégration 3D de passifs sur silicium : IPDIA met en place un laboratoire commun avec le Léti
Issue d’un essaimage de NXP en juin 2009, la start-up caennaise IPDIA renforce son partenariat à long terme avec le CEA-Léti à travers la mise en place d’un laboratoire commun dédié aux technologies d’intégration 3D de composants électroniques passifs dans du silicium ; ce laboratoire impliquera une vingtaine de chercheurs au total, répartis entre les deux partenaires.
L’expertise du CEA-Léti dans les technologies 3D doit permettre à IPDIA d'aller au-delà de la troisième génération de composants PICS (250nF/mm2), actuellement en production sur le site de Caen, et de poursuivre le développement des futures générations de composants PICS (1 μF/mm2, puis 2 μF/mm2) et de leur assemblage. Les produits seront conçus, développés et fabriqués par IPDIA dans son unité de production.
« Les compétences d’IPDIA en réalisation de composants passifs intégrés en silicium permettront de mettre en place une véritable offre industrielle et indépendante » a déclaré Franck Murray, p-dg d’IPDIA.
Les axes technologiques favorisés ont pour but de réaliser :
• des composants passifs sur silicium de très haute performance et résistant à des environnements sévères.
• des embases fonctionnelles pour les composants d’éclairage
• des technologies d’assemblage innovantes permettant l’ultra miniaturisation des futurs produits.
Les applications visées concernent l’éclairage à DEL, le médical, l’aérospatial, etc.
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