Mercredi 05 Janvier @ VIPress.netSamsung développe la première DDR4-Dram en technologie 30 nm
Samsung a annoncé début janvier avoir finalisé le développement du premier module de DDR4-Dram de l’industrie faisant appel à une technologie 30 nm ; par rapport à un modèle DDR3-Dram équivalent, il permet de réduire la consommation électrique des PC portables de 40%, assure le Coréen.
Ce nouveau module DDR4-Dram permet un débit de transfert de données de 2,133 Gbit/s à 1,2 V, contre 1,6 Gbit/s pour des modèles DDR3 alimentés sous 1,35 V ou 1,5 V. En employant cette nouvelle architecture de circuits, Samsung sera capable de permettre des débits de transfert de données de 1,6 à 3,2 Gbit/s pour ses modules DDR4, contre 1,6 Gbit/s pour les DDR3 et 800 Mbit/s pour les DDR2.
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