Mardi 07 Mai @ VIPress.netMOSFET de puissance haut rendement dans boîtier à économie d'énergie
STMicroelectronics annonce l'introduction du premier MOSFET MDmesh V à super jonction qui bénéficie d'une nouvelle technologie de boîtier permettant d'augmenter le rendement du circuit d'alimentation dans des produits tels que l'électroménager, les téléviseurs, les ordinateurs, les télécommunications et les alimentations à découpage pour serveurs. Le boîtier TO247-4 à 4 contacts assure une connexion directe à la source, qui sert uniquement à commander les opérations de commutation, contrairement aux boîtiers classiques qui disposent d'une seule connexion pour piloter la commutation et l'alimentation …
• Le contact supplémentaire augmente le rendement en commutation, ce qui réduit les pertes d'énergie et assure un fonctionnement à des fréquences plus élevées avec des alimentations plus compactes.
• ST a développé ce boîtier en collaboration avec Infineon qui présente également ses propres nouveaux produits à super jonction, proposant ainsi une seconde source aux utilisateurs.
• Le composant porte la référence STW57N65M5-4. Premier MOSFET MDmesh monté en boîtier TO247-4, il permettra d'augmenter le rendement énergétique dans les circuits à correction active du facteur de puissance (PFC) et pont complet ou dans les convertisseurs de puissance en demi-pont utilisés dans une large gamme de produits électroniques grand public et industriels.
• Le circuit STW57N65M5-4 est actuellement fabriqué en série, et commercialisé à partir de 10,00 dollars à partir de 1 000 pièces.
Référence : STW57N65M5-4
Fournisseur : STMicroelectronics
| [L]http://www.st.com/web/en/catalog/sense_power/FM100/CL824?icmp=to247-4_pron_pr_may2013|DATASHEET[/L] | [L]http://www.st.com/web/en/press/fr/p3416|PLUS D'INFOS[/L] | [L]http://vipress.europelectronics.net/h/datasheets.php?MD=5|PRODUITS SIMILAIRES[/L] |
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