Mardi 11 Février @ VIPress.netMOSFET en boîtiers à forte dissipation pour accélérer le rechargement des batteries
Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d'annoncer deux MOSFET ultra-compacts en boîtiers très dissipatifs, spécifiquement développés pour répondre aux besoins de recharge à courant élevé des tout derniers appareils portables. Les MOSFET SSM6K781G canal-N et SSM6J771G canal-P, se présentent tous deux en boîtier WCSP6C miniature de 1,5 x 1,0 mm offrant une dissipation thermique (PD) nominale de 1,2W …
• Le boîtier WCSP6C est le meilleur choix pour les applications ne disposant que d'un espace sur carte minimum, dans la mesure où le rapport [encombrement/puissance dissipable] de ce type de boîtier est bien supérieur à celui d'un boîtier moulé conventionnel. Ceci fait de ces MOSFET des candidats adaptés à la commutation de puissance dans les circuits de charge des téléphones portables, tablettes et autres appareils portables compacts, qui nécessitent des courants élevés pour réduire les temps de charge.
• Ces nouveaux dispositifs Toshiba combinent une faible résistance à l'état passant (RDS(ON)) et une très faible capacité, ce qui permet leur utilisation dans les circuits de charge et les convertisseurs DC-DC.
• Les valeurs nominales de RDS(ON) sont typiquement de 14 mOhm (VGSS = 4,5V) pour le SSM6K781G canal-N, et de 26 mOhm (VGSS = -4,5V) pour la version SSM6J771G canal-P.
• Le MOSFET SSM6K781G offre un courant DC maximum de 7A nominal, tandis que le SSM6J771G peut accepter jusqu'à -5A, ce qui rend ce dernier particulièrement adapté aux applications de recharge à double cellule, grâce à sa tension de grille maximum VGSS = +/-12V.
Référence : SSM6K781G et SSM6J771G
Fournisseur : Toshiba
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