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Toshiba lance la production de flash NAND en technologie 19 nm

Semiconducteurs>Production>Japon>Stratégie
21/05/2013 14:33:33 :


Le Japonais Toshiba vient d’annoncer la mise en production de volume d’une seconde génération de procédé en technologie 19 nm, afin de fabriquer des puces de mémoires flash NAND à 2 bits par cellule de 64 Gbits. Cette génération de puces de mémoires flash de seulement 94 mm2 permet une vitesse d’écriture de 25 Mo/s. Toshiba utilisera également ce procédé technologique pour lancer en production lors du prochain trimestre, des puces de flash NAND à trois bits par cellule …

Parallèlement, Toshiba vient d’annoncer la cession de son unité d’assemblage et de test de semiconducteurs de Wuxi en Chine, au Taïwanais Advanced Semiconductor Engineering (ASE), un spécialiste des services d’encapsulation (ASE a réalisé un chiffre d’affaires de 6,6 milliards de dollars avec un effectif mondial de 56 000 personnes en 2012). Le montant de l’’acquisition de cette usine de 250 personnes est d’environ 8,8 millions d’euros. Toshiba poursuit ainsi sa stratégie d’externalisation de prestations d’assemblage et de test (des usines avaient auparavant été cédées à J-Devices et Amkor).




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