Vendredi 12 Avril @ VIPress.netToshiba démarre la production de masse de composants de puissance SiC
Toshiba a démarré la production de masse au Japon de composants de puissance SiC (Silicon Carbide, ou carbure de silicium), en prévision d'une demande croissante des secteurs industriel et automobile. Toshiba fabriquera d'abord des diodes Schottky sur sa nouvelle ligne de production SiC. Les diodes Schottky sont notamment utilisées dans les conditionneurs de puissance des centrales photovoltaïques. Les diodes Schottky peuvent aussi remplacer les diodes silicium dans les alimentations à découpage, et offrent un rendement amélioré de 50% par rapport aux diodes classiques …
• Les composants de puissance SiC offrent un fonctionnement plus stable que les composants silicium actuels, même en présence de tensions ou de courants élevés, car ils réduisent de manière significative la dissipation thermique en cours de fonctionnement. Ils répondent aux besoins de différents secteurs, qui sont à la recherche de composants plus petits et plus efficaces, et qui soient bien adaptés aux applications industrielles et automobiles allant des serveurs aux convertisseurs d'énergie, et du ferroviaire à l'automobile.
• Le marché des composants de puissance SiC pourrait être multiplié par 10 d'ici 2020. Toshiba vise une part de marché de 30% en 2020, grâce au renforcement de ses capacités de production, en commençant par le lancement de cette nouvelle ligne de production de diodes Schottky.
Référence : TRS12E65C
Fournisseur : Toshiba
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