Mercredi 01 Décembre @ VIPress.netSoitec et Sumitomo vont développer des tranches GaN
Le Français Soitec, premier fabricant mondial de tranches de silicium sur isolant (SOI), et le Japonais Sumitomo Electric Industries, l’un des premiers fournisseurs mondiaux de semiconducteurs composés, annoncent leur collaboration en vue de développer des substrats avancés en nitrure de gallium (GaN) ; cette technologie vise à faciliter l’adoption à grande échelle des tranches de GaN dans des applications telles que les diodes DEL haute luminosité et les systèmes d’alimentation électrique que l’on trouve dans les véhicules électriques et hybrides.
Cette alliance s’appuiera d’une part sur la technologie développée par Sumitomo Electric pour la fabrication de plaques de GaN et, d’autre part, sur la technologie de transfert de couches Smart Cut développée par Soitec, qui permet de transférer des couches de GaN ultra-minces à partir d’une unique plaque de GaN pour produire plusieurs substrats avancés en GaN. Ces substrats avancés présentent la même qualité cristalline que les plaques de GaN initiales de Sumitomo Electric, mais ont un coût moins élevé.
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