Vendredi 24 Décembre @ VIPress.netUn projet de R&D allemand pour développer des circuits SiC et GaN-on-Si
Six partenaires allemands de l’industrie des semiconducteurs et du photovoltaïque viennent de lancer le projet de recherche et développement Neuland destiné à développer des semiconducteurs innovants basés sur des technologies de carbure de silicium (SiC) et de nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) ; ce projet, emmené par Infineon, associe le fabricant d’équipments Aixtron, les fabricants de semiconducteurs Azzurro et MicroGaN, le fournisseur de tranches SiCrystal et le fabricant d’onduleurs pour le photovoltaïque SMA Solar Technology.
Le but de Neuland à travers le développement de ces semiconducteurs composés est de réduire de 50% les pertes d’énergie des onduleurs lors de l’injection dans le réseau électrique de l’énergie photovoltaïque produite.
Ce projet va se dérouler jusqu’à la mi-2013 et sera financé à hauteur de 4,7 millions d’euros par BMBF, le ministère fédéral allemand de l’éducation et de la recherche, soit 52,6% du coût total du projet.
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