Vendredi 06 Mai @ VIPress.netIntel intègre des transistors 3D dans sa technologie 22 nm
Tous les deux ans, Intel passe à une technologie de production plus fine pour perpétuer la loi de Moore ; cette année, le passage à une technologie 22 nm s’accompagne d’un changement radical dans la conception des transistors qui passent d’une structure planaire à une structure 3D appelée Tri-Gate.
Selon Intel, ces transistors 3D Tri-Gate réalisés en technologie 22 nm offrent un gain de performance de 37% par rapport aux transistors 2D actuels en technologie 32 nm. A niveau de performances égal, ils consomment également moins de la moitié des transistors 2D 32 nm. La présentation technique de cette évolution majeure est décrite [L]http://download.intel.com/newsroom/kits/22nm/pdfs/22nm-Announcement_Presentation.pdf|ICI[/L].
Cette technologie 22 nm sera introduite en production de volume dans la seconde moitié de l’année et les premiers processeurs (pour PC et serveurs) faisant appel aux transistors 3D seront commercialisés au début de 2012. D’ici fin 2012, Intel estime que quatre usines aux Etats-Unis (deux dans l’Oregon, deux dans l’Arizona) et sa Fab-28 en Israël auront été converties à la production en technologie 22 nm.
Pour In-Stat, il y a trois leviers pour perpétuer la loi de Moore : les matériaux, la lithographie et la conception du transistor. Au cours des récentes évolutions technologiques, Intel avait déjà largement utilisé les deux premiers leviers : utilisation de silicium contraint, portes en métal, diélectrique « high-K », ainsi que techniques de lithographie en multi-impressions (multiple patterning) et en immersion. Restait donc le passage à une structure 3D des transistors pour continuer à avancer.
Selon Intel, le passage aux transistors 3D ne nécessite pas de nouveaux équipements particuliers, mais rajoute « simplement » quelques étapes de process dans la fabrication, ce qui alourdit le coût de production de 2% à 3% par rapport à un procédé 2D similaire.
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