Jeudi 15 Mai @ VIPress.netSamsung crédibilise la technologie FD-SOI de STMicroelectronics
STMicroelectronics est-il en passe de gagner son pari ? Imposer sa technologie FD-SOI, à ses yeux plus simple et moins coûteuse à développer que la technologie FinFET choisie notamment par Intel et TSMC pour les technologies les plus avancées ? En tout, le groupe franco-italien frappe un grand coup en signant avec Samsung un accord de fonderie et de licence qui assure la disponibilité multi-sources en production de volume de la technologie FD-SOI SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nm. La technologie FD-SOI en 28 nm sera qualifiée par Samsung pour une production en volume début 2015. Cet accord devrait convaincre les fournisseurs de logiciels de CAO et de blocs de propriété intellectuelle d’enrichir le catalogue d'IP mis à la disposition de la filière FD-SOI en 28 nm …
Cet accord de licence permet aux clients de bénéficier des solutions de fabrication avancées produites dans les installations en 300 mm dont dispose Samsung, et assure à l'ensemble de l'industrie une capacité de production en grand volume pour la technologie FD-SOI de ST. La technologie FD-SOI en 28 nm permet de réaliser des circuits intégrés plus rapides, plus simples et qui dégagent moins de chaleur, répondant ainsi à la demande en systèmes sur puce plus performants et plus économes en énergie, un facteur décisif pour les applications de l’Internet des objets notamment.
Cet accord sur la technologie FD-SOI en 28 nm porte sur la technologie de fabrication ainsi que sur l'écosystème de conception développés par ST. Il complète les moyens de production en 28 nm dont dispose ST sur son site de production en 300 mm à Crolles (près de Grenoble), permettant de proposer une option multi-sources pour les produits réalisés en technologie FD-SOI 28 nm. En outre, les clients pourront bénéficier de l'expérience et des connaissances acquises par Samsung et ST en matière de technologies de production en grands volumes. Néanmoins, Samsung ne fait pas le choix exclusif du FD-SOI et développe en parallèle la technologie FinFET.
« Capitalisant sur les solides relations nouées par ST et Samsung dans le cadre de l'International Semiconductor Development Alliance (ISDA), cet accord renforce davantage notre coopération en l'étendant à la technologie FD-SOI en 28 nm, tout en élargissant l'écosystème et en augmentant la capacité de production pour ST, mais également pour l'ensemble de l'industrie électronique », a déclaré Jean-Marc Chery, directeur général (COO) de STMicroelectronics. « Nous prévoyons l'élargissement de l'écosystème FD-SOI en 28 nm avec les principaux fournisseurs d'outils de CAO électronique et de propriété intellectuelle (IP), ce qui enrichira le catalogue d'IP mis à la disposition de la filière FD-SOI en 28 nm », ajoute-t-il.
« Le 28 nm est une technologie de fabrication très efficace dont la durée de vie sera longue en utilisant des moyens de production bien établis. En ajoutant le FD-SOI à notre portefeuille de technologies, Samsung propose une gamme complète de solutions de fabrication en 28 nm qui contribueront au succès de nos clients. C'est une solution idéale pour les clients qui souhaitent accroître les performances et le rendement énergétique en 28 nm sans être obligés de migrer vers le 20 nm », commente pour sa part, Dr Seh-Woong Jeong, vice-président exécutif System LSI Business de Samsung Electronics.
Selon Handel Jones, fondateur et p-dg d'International Business Strategies (IBS), « le nœud 28 nm aura une durée de vie considérable. Nous tablons sur environ 4,3 millions de tranches à l'horizon 2017, et le FD-SOI pourrait bien capter au moins 25 % de ce marché ».
La technologie FD-SOI résulte d'une activité de recherche et développement de longue date mené au sein du pôle technologique grenoblois regroupant ST, le CEA-Leti, Soitec ainsi que d'autres partenaires. Cette technologie de fabrication de semiconducteurs prolonge la Loi de Moore en permettant de faire évoluer la technologie planaire traditionnellement utilisée pour fabriquer des semiconducteurs. Contrairement à d'autres filières de fabrication tel le FinFET, la technologie FD-SOI bénéficie de la continuité des flux de conception existants, et est prise en charge par un large éventail de logiciels de CAO électronique et d'équipements de production déjà installés. Outre l'exploitation des flux de conception et du matériel de production existants, cette technologie est censée réduire de façon significative la complexité des processus de production.
STMicroelectronics a fait le choix (risqué au départ) de s’engager dans la technologie FD-SOI dès 2008 pour se préparer à la rupture technologique qui interviendra au nœud technologique 14 nm avec des transistors 2D. En début d’année, à l’occasion de présentation des résultats annuels de ST, Jean-Marc Chery nous avait indiqué que d’ici fin 2015, ST disposera à Crolles d’une capacité de production de 1000 à 1500 tranches de 300 mm par semaine en technologie FD-SOI (voir notre [L]http://europelectronics.vipress.net/?id=adwvadyvagheryxxxa|article[/L]).
ST avait déjà signé un accord de transfert de licence de la technologie FD-SOI avec Globalfoundries, mais le fondeur n’a pas annoncé à ce jour qu’il comptait introduire cette technologie production.
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