Mercredi 05 Mars @ VIPress.netMémoire Flash NAND SLC 8Gbits à correction d'erreur embarquée
Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d'étendre sa gamme de mémoires Flash NAND SLC (Single Level Cell, ou cellule simple niveau) BENAND24 nm, en y intégrant une correction d'erreur (ECC) 8 bits. Le lancement de cette mémoire BENAND SLC 24 nm de 8 Gbits permettra aux fabricants d'utiliser la technologie 24 nm dans les appareils conçus pour les NAND 4x nm, prolongeant ainsi la vie de produits électroniques grand public, de dispositifs multimédia, de compteurs ou de systèmes de d'éclairage intelligents, ou encore de certains systèmes à vocation industrielle …
• L'arrivée de ces mémoires 8 Gbits étend de 1 Gbit à 8 Gbits, la ligne de produits BENAND, qui est disponible en boîtiers TSOP ou BGA, et en gamme de température industrielle ou grand-public.
• La technologie BENAND soulage le processeur hôte du fardeau de l'ECC, tout en permettant aux concepteurs d'utiliser une technologie Flash NAND de pointe. Pour faciliter la migration, ces nouvelles BENAND ont été conçues de telle sorte que tous les paramètres, tels que longueur de page ou de bloc, taille disponible, commandes, interface, et même boîtier, soient identiques à ceux des anciennes NAND SLC 4xnm.
• Le prix de mémoires Flash NAND issues de processus plus avancés est inférieur, mais les cellules plus petites sont plus vulnérables au stress engendré par la programmation ou l'effacement. Ceci nécessite une correction d'erreur (ECC) plus complexe, pour maintenir les niveaux de fiabilité désirés. Par exemple, une NAND SLC 4xnm de faible densité nécessite une ECC à 1 bit, une NAND SLC 3xnm nécessite une ECC à 4 bits, tandis qu'une NAND SLC 2xnm nécessite une ECC à 8 bits.
Référence : BENAND24 nm
Fournisseur : Toshiba
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