Mercredi 04 Juin @ VIPress.netIntel et Samsung donnent le coup d’envoi à la fonderie en technologie 14 nm
Simultanément, Intel et Samsung Electronics viennent d’annoncer que leur plate-forme technologique pour la réalisation de prestations de fonderie en technologie 14 nm était disponible auprès des clients. Ces écosystèmes autour de la production en fonderie des circuits les plus avancés s’appuient sur des accords avec les trois leaders des outils de conception de circuits intégrés : Cadence, Mentor et Synopsys …
Après leur collaboration pour la plate-forme de conception en technologie 22 nm 3-D Tri-Gate d’Intel, les trois ténors de la CAO viennent ainsi de renouveler leur collaboration avec Intel pour la technologie 14 nm 3-D Tri-Gate. Intel indique que les circuits intégrés fabriqués en fonderie à partir de cette technologie viseront les applications mobiles et les infrastructures cloud.
De son côté, Samsung a signé les mêmes types d’accord de coopération avec Cadence, Mentor et Synopsys, pour proposer à ses clients de fonderie sa technologie de systèmes sur une puce (SoC) 14 nm FinFET. Pour cette technologie, Samsung vise également les applications mobiles et les infrastructures IT. Au passage, cette annonce confirme que Samsung a bien décidé de mener de front les deux technologies FinFET et FD-SOI (suite à son accord avec STMicroelectronics] pour les circuits les plus avancés.
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