Mercredi 29 Janvier @ VIPress.net« ST disposera à Crolles d’une capacité de production de 1000 à 1500 tranches par semaine en technologie FD-SOI d’ici fin 2015 »
A l’issue de la présentation des [L]http://europelectronics.vipress.net/?id=uvpfuvtmrfffvpdysk|résultats annuels[/L] de STMicroelectronics mardi à Paris, Jean-Marc Chery, Executive Vice President, et directeur général de la branche Embedded Processing Solutions, a répondu à nos questions sur la stratégie de ST en matière de production et plus particulièrement concernant la technologie SD-SOI, fer de lance de la stratégie du premier fabricant européen de semiconducteurs …
Carlo Bozotti a déclaré que les usines de STMicroelectronics tournaient actuellement en deçà de leur niveau optimum. Quel est ce taux optimum et quel est le niveau actuel du taux d’occupation de vos capacités de production ? Par ailleurs, où en êtes-vous de votre objectif de ratio de 20% de vos productions confiées à des fondeurs ?
J.-M.C. Au quatrième trimestre, nos usines ont globalement tourné à 82,5% de leurs capacités de production(*). Nous considérons atteindre un ratio optimal à partir de 85%. Notre objectif reste de réaliser 80% de nos productions en interne et d’en confier 20% à des fondeurs. Etant donné la conjoncture, la part réalisée en externe s’est plutôt située entre 10% et 15% en 2013, de façon à privilégier la charge de nos usines.
ST envisage désormais une production de volume pour la technologie FD-SOI à partir de 2015. Quels investissements devez-vous consentir à Crolles pour y parvenir ?
J.-M.C. La technologie process et la plate-forme de conception associée en FD-SOI est qualifiée à Crolles et prête pour la production de masse. Actuellement, nous disposons à Crolles d’une capacité de production de 500 tranches par semaine en technologie 28 nm. Elle est dédiée aujourd’hui exclusivement à lancer des prototypes pour échantillonner nos clients. Nous avons remporté un grand nombre de réalisation de circuits spécifiques que nous n’aurions pas obtenu sans la maîtrise de cette technologie FD-SOI. Jamais nous n’aurions pu remporter ces contrats d’Asic si nous n’avions pas eu cette différentiation. Ces prototypes se traduiront par des volumes à partir de fin 2014. D’ici fin 2015, nous disposerons à Crolles d’une capacité de production de 1000 à 1500 tranches de 300 mm par semaine pour répondre en partie à cette demande.
Justement, STMicroelectronics est le seul à avoir fait le pari de la technologie FD-SOI. Ne pensez-vous pas que cette filière est vouée à l’échec si vous restez isolé ?
J.-M.C. Nous avons déjà signé un accord de transfert de licence de la technologie FD-SOI avec Globalfoundries. Cet accord de licence n’est pas exclusif. Sans préjuger de son identité, nous signerons fin 2014 un accord avec un fondeur de réputation mondiale qui pourra proposer des productions en volume en technologie FD-SOI dès le premier trimestre 2015, à la fois pour nos besoins et pour ses propres clients. Pour les technologies les plus avancées, notre objectif est de produire en interne 50% de nos besoins et de confier l’autre moitié à des fondeurs. Ce sera le cas pour le FD-SOI. Mais plus généralement, il nous faut créer un écosystème autour du FD-SOI en attirant des sociétés de conception de blocs d’IP et de développement d'outils de conception spécifiques à cette filière. Or, ces sociétés ne développeront pas des produits spécifiques au FD-SOI si nous sommes les seuls à le proposer. D’où l’importance de convaincre un fondeur de premier plan de se lancer dans cette filière.
Vous ne développerez pas de technologie FinFET comme Intel ou TSMC ?
J.-M.C. Nous avons fait le choix de la technologie FD-SOI dès 2008 pour se préparer à la rupture technologique qui interviendra au nœud technologique 14 nm avec des transistors 2D. Actuellement qualifié pour le 28 nm, nous utiliserons ce procédé en production de volume en 2015. A cette échéance, le 14 nm sera qualifié pour une production de volume en 2017, puis nous irons ensuite vers le 10 nm. Nous considérons que la technologie FD-SOI est plus simple et moins coûteuse à développer que la technologie FinFET, qui est plus complexe à mettre en œuvre non seulement au niveau du procédé de fabrication, mais également au niveau des techniques de conception associées. En outre, la flexibilité d’usage de la technologie FD-SOI la rend particulièrement adaptée à la réalisation de circuits ultra basse consommation, un facteur décisif pour les applications de l’Internet des objets que nous visons.
Quel pourcentage représentera fin 2015 le FD-SOI dans la capacité de production de Crolles II ?
J.-M.C. Actuellement, Crolles dispose d’une capacité de production de 3500 tranches de 300 mm par semaine. Le FD-SOI représente environ 20% de la capacité de production de Crolles II, contre 35% pour les microcontrôleurs (en technologie 90 nm et 40 nm) et le reste pour les produits d’imagerie et les circuits logiques avec motifs supérieurs à 28 nm. La capacité de production totale de Crolles II sera portée à 4500 tranches début 2016, puis 6000 tranches en 2017. Nous allons d’ailleurs démarrer cette année la construction des bâtiments pour l’extension de la fab, dans le cadre d’un investissement global de 1,5 milliard de dollars sur cinq ans.
(*) Classé 7e mondial en terme de capacité de production installée et seul européen du Top10 par IC Insights (voir notre [L]http://europelectronics.vipress.net/?id=adtptuaihqinsincev|article[/L]), STMicroelectronics dispose d’une capacité de production de 551 000 tranches par mois (en équivalent 200 mm). Disposant de 12 sites de production dans le monde, dont six de front-end (Crolles, Rousset, Tours, Agrate, Catane et Singapour), ST a investi 531 M$ dans ces usines en 2013, soit 6,6% de ses ventes. Cette année, le montant de ses investissements devrait être semblable (consacré notamment au passage d’une production sur tranches de 150 mm à 200 mm de diamètre à Singapour et Catane).
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