Jeudi 26 Janvier @ VIPress.netSoitec et Sumitomo Electric lancent des lignes de production pilotes de substrats GaN
Le Grenoblois Soitec et le Japonais Sumitomo Electric, l’un des premiers fournisseurs mondiaux de semiconducteurs composés, ont franchi une étape majeure dans leur programme de développement stratégique lancé en décembre 2010 avec la démonstration de substrats avancés de nitrure de gallium de 100 et 150 mm de diamètre ; les deux partenaires lancent à présent des lignes de production pilotes pour permettre l’adoption de cette technologie à grande échelle.
Ces substrats sont obtenus en transférant des couches de GaN ultra-minces de haute qualité à partir d’une seule plaque de GaN pour produire plusieurs substrats avancés. Ils conviennent à la fabrication de diodes avancées haute luminosité pour le marché de l’éclairage et des contrôleurs de forte puissance pour les marchés de l’énergie et des véhicules électriques.
Cette alliance stratégique avait pour objectif initial de produire des tranches de 2 pouces. Forts du succès de la démonstration sur des tranches de tailles supérieures, les deux partenaires passent maintenant à l’étape suivante, en investissant dans la création de lignes de production pilotes à Itami (Japon) et à Bernin (France). Ces lignes pilotes seront initialement utilisées pour produire des tranches de quatre pouces, suivi rapidement par l’introduction de tranches de six pouces pour répondre aux attentes des clients.
Sumitomo Electric fabriquera au Japon des substrats en GaN massif qui seront envoyés en France où Soitec appliquera son procédé de transfert de couches Smart Cut afin de fabriquer les tranches avancées finies, dont le coefficient de dilatation thermique (CTE) est identique à celui des tranches de GaN.
Soitec vient par ailleurs d’engager une collaboration de recherche avec le consortium international de R&D Sematech. Le Français s’est ainsi associé aux programmes ‘Front End Processes’ (FEP) et ‘Advanced Metrology’ du consortium basé aux Etats-Unis. Ce partenariat doit favoriser le développement de procédés et de composants grâce aux substrats SOI (Silicium sur Isolant) et autres substrats avancés de Soitec, pour les applications alliant haute performance et basse consommation. La collaboration porte également sur l’utilisation des compétences en métrologie de Sematech pour concevoir des transistors nouvelle génération.
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