Lundi 29 Septembre @ VIPress.netSoitec cède son activité épitaxie d’arséniure de gallium
Dans le cadre du recentrage de sa division électronique, le Grenoblois Soitec, spécialiste de la technologie SOI et du photovoltaïque à concentration, annonce ce matin la cession de l'activité épitaxie d'arséniure de gallium (GaAs) de sa filiale Specialty Electronics à Intelligent Epitaxy Technology, un fournisseur américain de tranches épitaxiées de phosphure d'indium (InP), d'arséniure de gallium (GaAs), et d'antimonide de gallium (GaSb) pour les industries de l'électronique et de l'optoélectronique. La filiale est basée sur le site de Villejust, dans le département de l'Essonne …
L'opération intervient après l'accord de collaboration conclu en 2013 entre Soitec et IntelliEPI.
« La cession à IntelliEPI de notre activité dédiée à l'épitaxie d'arséniure de gallium (GaAs) reflète le recentrage de la division électronique de Soitec sur ses produits clés, conformément à son programme à cinq ans Soitec 2015 », a déclaré Bernard Aspar, senior vice-président et directeur général de l'entité Communication & Power de Soitec.
« Cette transaction permettra à IntelliEPI d'élargir sa base de clientèle et de pénétrer plusieurs marchés critiques pour les applications GaAs, comme la technologie de radar automobile. Elle lui donnera également les moyens de proposer des produits et des services à plus forte valeur ajoutée à l'ensemble de ses clients, en augmentant ses capacités de production situées au Texas, aux États-Unis », a indiqué Yung-Chung Kao, président et CEO d'IntelliEPI.
Intelligent Epitaxy Technology, Inc. (IntelliEPI) a été créé en 1999 à Richardson, au Texas, pour fournir des tranches épitaxiées de semiconducteurs composés aux industries de l'électronique et de l'optoélectronique. Pour fabriquer des plaques épitaxiées sur GaAs et InP, la société utilise une technologie brevetée qui permet la surveillance en temps réel et in situ de la croissance épitaxiale par jets moléculaires (MBE).
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