Mardi 01 Avril @ VIPress.netMACOM annonce un programme de licence pour démocratiser le GaN sur silicium
Apporter les performances de la technologie de nitrure de gallium avec la structure de coût d’une production sur tranches de silicium de 200 mm de diamètre : telle est l’ambition du programme de licence de propriété intellectuelle que vient de dévoiler l’Américain M/A-COM Technology Solutions, spécialiste des composants et sous-ensembles pour applications RF et hyper. Dans un premier temps, MACOM va accorder une licence au fabricant gallois de tranches épitaxiées IQE, afin que ce dernier propose en volume des tranches épitaxiées GaN-Si dans des diamètres de 100 mm, 150 mm, et 200 mm pour des applications RF …
Après s’être acheté une compétence dans les technologies SiGe grâce au rachat de Mindspeed fin 2013, MACOM s’était offert à la mi-février une expertise sans les solutions RF à base de nitrure de gallium (GaN), avec l’acquisition pour 26 millions de dollars en numéraire de son compatriote Nitronex.
MACOM conçoit et fabrique des dispositifs standard et personnalisés, des circuits intégrés, des composants, des modules et des sous-systèmes pour de nombreux marchés, y compris les satellites, les radars, les réseaux câblés et sans fil, la télévision par câble, l'automobile, et les dispositifs industriels, médicaux et portables. Le fabricant propose un portefeuille étendu de plus de 3000 produits, incluant des diodes, des circuits MMIC GaAs, des transistors au silicium et au nitrure de gallium. Ces produits couvrent des fréquences s'étendant de DC à 110 GHz.
M/A-COM a clôturé son dernier exercice annuel sur un chiffre d’affaires de 318,7 M$ contre 302,2 M$ lors de l’exercice précédent, avec un bénéfice net de 27,7 M$ contre une perte de 1 M$ lors de l’exercice 2012. L’Américain estime qu’avec Mindspeed devrait réaliser un chiffre d’affaires annuel de 451 M$.
La société britannique IQE produit des tranches épitaxiées pour la fabrication de circuits intégrés de hautes performances, dans les technologies GaN, GaAs, InP, GaSb, Si, SiGe et SOI. Premier fournisseur mondial de tranches épitaxiées pour semiconducteurs composés, IQE fournit actuellement plus de 50% des tranches épitaxiées pour applications RF.
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