En bref Lundi 02 Juin @ VIPress.net

Accéléromètre pour applications de télématique automobile, boîtes noires et appels d'urgence

NP/Capteurs/Opto/Mems
02/06/2014 12:25:44 :


STMicroelectronics ajoute un nouvel accéléromètre à son portefeuille de détecteurs de mouvements. Annoncé sous la référence AIS3624DQ, cet accéléromètre 3 axes à sortie numérique est le premier à fournir une plage d'accélération pleine échelle de ±24 g, tout en satisfaisant aux exigences de fiabilité et de résistance aux contraintes spécifiées par la norme AEC-Q100 en vigueur dans l'industrie automobile …

Principales caractéristiques :
• plage programmable à pleine échelle : 6 g / 12 g / 24 g
• sortie de données sur 16 bits ; 2 lignes de sortie numériques (générateurs d'interruption)
• 9 débits de transmission des données en sortie (sélectionnable par l'utilisateur)
• 3 modes d'alimentation : arrêt, basse consommation et normal
• protocoles de sortie numérique SPI et I2C ; autotest intégré (BiST)
• résistance aux chocs jusqu'à 10 000 g ; plage de température : -40 à +105°C

Référence : AIS3624DQ
Fournisseur : STMicroelectronics

| [L]http://www.st.com/st-web-ui/static/active/en/resource/technical/document/data_brief/DM00115750.pdf|DATASHEET[/L] | [L]http://www.st.com/web/en/press/p3570|PLUS D'INFOS[/L] | [L]http://vipress.europelectronics.net/h/datasheets.php?MD=5|PRODUITS SIMILAIRES[/L] |


Première mémoire flash V-NAND 3D à 32 couches

NP/Mémoires
02/06/2014 12:26:22 :


Samsung Electronics annonce le début de la production en grande série de la première mémoire flash V-NAND en trois dimensions (3D), constituée de 32 couches de cellules NAND empilées verticalement. C'est la deuxième génération de mémoires V-NAND …

• Par rapport à la première génération de mémoire V-NAND qui comportait 24 couches, le rendement de production de la mémoire V-NAND 3D à 32 couches est meilleur, du fait que Samsung peut utiliser le même matériel que pour la production des V-NAND de première génération.
• Parallèlement, Samsung vient de lancer une gamme de SSD haut de gamme basés sur ses mémoires flash V-NAND de 2e génération offrant 128, 256, 512 Go et 1 To de stockage.
• Les nouveaux SSD basés sur des V-NAND 3D ont deux fois plus d’endurance à l'écriture que les disques basés sur des NAND MLC planaires (2D) et ils consomment 20% moins d'énergie.
• Selon Gartner, le marché mondial des mémoires devrait passer de 75,5 milliards de dollars à environ 79,7 milliards en 2017, alors que la part des mémoires flash NAND poursuivra sa croissance pour atteindre plus de 50% du marché, soit environ 44,6 milliards de dollars en 2017.

Référence : V-NAND
Fournisseur : Samsung

| [L]http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=13481|DATASHEET[/L] | [L]http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/|PLUS D'INFOS[/L] | [L]http://vipress.europelectronics.net/h/datasheets.php?MD=4|PRODUITS SIMILAIRES[/L] |




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