En bref Mardi 11 Février @ VIPress.netCapteurs numériques d’indice UV
Silicon Labs introduit les premiers circuits intégrés capteurs d’indice ultraviolet (UV) à sortie numérique, conçus pour donner aux smartphones et aux produits électroniques portables sur soi la capacité de surveiller l’exposition aux UV, le rythme cardiaque et l’oxymétrie sanguine, ainsi que la fonction de contrôle gestuel / détection de proximité. Dernières nées de la famille de capteurs optiques de Silicon Labs, les puces Si1132 et Si114x sont idéales pour les bracelets suiveurs d’activité, les montres connectées et les accessoires de smartphones. Outre l’indice UV, elles détectent la luminosité ambiante et la proximité par détection d’infrarouges (IR), pour des applications médicales et de fitness …
• Les capteurs d’UV typiques combinent des photodiodes sensibles aux UV et un microcontrôleur externe, un convertisseur analogique/numérique et un firmware de traitement de signal. Silicon Labs est le premier à intégrer toute cette fonctionnalité dans une monopuce encapsulée dans un boîtier ultra petit de 2 x 2 mm.
• Le capteur d’indice UV et de luminosité ambiante Si1132, doté d’une interface standard I2C pour la lecture des valeurs numériques d’indice UV.
• Les capteurs d’UV et de proximité par IR / luminosité ambiante Si1145/46/47, dotés de 1, 2 ou 3 pilotes de LED à 15 niveaux de puissance pour la détection de geste.
• Combinés avec un accéléromètre, les capteurs Si1132 et Si114x permettent aux développeurs d’implémenter l’analyse de sommeil dans des produits portables sur soi. De plus, la possibilité de mesurer à la fois la lumière visible et les IR améliore le contrôle du rétroéclairage des LCD. Il est ainsi possible pour un coût économique de régler le rétroéclairage de manière à réduire la fatigue oculaire et la consommation sans perturber l’utilisateur.
Fabricant : Silicon Labs
Référence : Si1132 et Si114x
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MOSFET en boîtiers à forte dissipation pour accélérer le rechargement des batteries
Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d'annoncer deux MOSFET ultra-compacts en boîtiers très dissipatifs, spécifiquement développés pour répondre aux besoins de recharge à courant élevé des tout derniers appareils portables. Les MOSFET SSM6K781G canal-N et SSM6J771G canal-P, se présentent tous deux en boîtier WCSP6C miniature de 1,5 x 1,0 mm offrant une dissipation thermique (PD) nominale de 1,2W …
• Le boîtier WCSP6C est le meilleur choix pour les applications ne disposant que d'un espace sur carte minimum, dans la mesure où le rapport [encombrement/puissance dissipable] de ce type de boîtier est bien supérieur à celui d'un boîtier moulé conventionnel. Ceci fait de ces MOSFET des candidats adaptés à la commutation de puissance dans les circuits de charge des téléphones portables, tablettes et autres appareils portables compacts, qui nécessitent des courants élevés pour réduire les temps de charge.
• Ces nouveaux dispositifs Toshiba combinent une faible résistance à l'état passant (RDS(ON)) et une très faible capacité, ce qui permet leur utilisation dans les circuits de charge et les convertisseurs DC-DC.
• Les valeurs nominales de RDS(ON) sont typiquement de 14 mOhm (VGSS = 4,5V) pour le SSM6K781G canal-N, et de 26 mOhm (VGSS = -4,5V) pour la version SSM6J771G canal-P.
• Le MOSFET SSM6K781G offre un courant DC maximum de 7A nominal, tandis que le SSM6J771G peut accepter jusqu'à -5A, ce qui rend ce dernier particulièrement adapté aux applications de recharge à double cellule, grâce à sa tension de grille maximum VGSS = +/-12V.
Référence : SSM6K781G et SSM6J771G
Fournisseur : Toshiba
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