En bref Vendredi 12 Avril @ VIPress.netToshiba démarre la production de masse de composants de puissance SiC
Toshiba a démarré la production de masse au Japon de composants de puissance SiC (Silicon Carbide, ou carbure de silicium), en prévision d'une demande croissante des secteurs industriel et automobile. Toshiba fabriquera d'abord des diodes Schottky sur sa nouvelle ligne de production SiC. Les diodes Schottky sont notamment utilisées dans les conditionneurs de puissance des centrales photovoltaïques. Les diodes Schottky peuvent aussi remplacer les diodes silicium dans les alimentations à découpage, et offrent un rendement amélioré de 50% par rapport aux diodes classiques …
• Les composants de puissance SiC offrent un fonctionnement plus stable que les composants silicium actuels, même en présence de tensions ou de courants élevés, car ils réduisent de manière significative la dissipation thermique en cours de fonctionnement. Ils répondent aux besoins de différents secteurs, qui sont à la recherche de composants plus petits et plus efficaces, et qui soient bien adaptés aux applications industrielles et automobiles allant des serveurs aux convertisseurs d'énergie, et du ferroviaire à l'automobile.
• Le marché des composants de puissance SiC pourrait être multiplié par 10 d'ici 2020. Toshiba vise une part de marché de 30% en 2020, grâce au renforcement de ses capacités de production, en commençant par le lancement de cette nouvelle ligne de production de diodes Schottky.
Référence : TRS12E65C
Fournisseur : Toshiba
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Mémoires flash NAND 128 Gigabits à cellules multi-niveau 3 bits
Samsung Electronics a lancé la production de masse de puces mémoire NAND à cœur multi-niveau (MLC) 3 bits de 128 gigabits utilisant une technologie de gravure de classe 10 nm. Ces puces très avancées offriront des solutions mémoire à haute densité comme le stockage NAND intégré et les SSD (solid state drives) …
• Les puces flash NAND de 128 gigabits de Samsung sont basées sur un cœur multi-niveau 3 bits et sur la technologie de gravure de classe 10 nm. Elles affichent la densité la plus élevée de l'industrie ainsi que les meilleures performances avec un débit de transfert de données de 400 Mbit/s par grâce à l'interface DDR Toggle 2.0.
• La demande de mémoires flash NAND MLC 3 bits haute performance et de supports de stockage importants de 128 Gb a connu une croissance rapide, qui suscite l'adoption de SSD de plus de 250 Go de capacité.
• Samsung a lancé la production des mémoires flash NAND MLC de 64 Gb de classe 10 nm en novembre 2012. Moins de 5 mois plus tard, elle a ajouté les nouvelles mémoires flash NAND de 128 Gb à sa large gamme de stockage en mémoire à haute densité.
• Les nouvelles puces NAND MLC 3 bits de 128 Gb offrent une productivité de plus du double de celle des puces NAND MLC de 64 Gb de classe 20 nm.
Référence : Flash NAND MLC 3 bits de 128 Gb
Fournisseur : Samsung
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